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[中文期刊] 冠状动脉狭窄情况下的非牛顿血液流动和大分子传质核源 EI CSCD

作者：李新宇，温功碧，李丁（北京大学力学和工程科学系）

出处：应用数学和力学 2001

关键词：动脉粥样硬化；非牛顿流；大分子传质；壁面剪应力

摘要：针对冠状动脉狭窄的情况 ,采用数值模拟方法求解了牛顿流体与非牛顿流体 (幂次律流体和Casson流体 )的定常与脉动的流场·　在此基础上 ,求解了LDL(低密度脂肪蛋白 )和Albumin(血清白蛋白 )的浓度场·　根据计算结果 ,详细讨论了壁面剪应力、非牛顿流效应、分子大小等因素对大分子传质的影响 ...

被引情况：超星被引 21 次；

[外文期刊] Optimization and Analysis of Magnesium Doping in MOCVD Grown p-GaN

作者：张晓敏;王彦杰;杨子文;廖辉;陈伟华;李丁;李睿;杨志坚;张国义;胡晓东（北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871）

出处：半导体学报 2008

关键词：p型GaN;自补偿;掺杂浓度;MOCVD

摘要：通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω·cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿 ...

[中文专利] 一种双波长单芯片发光二极管

发明人：陶岳彬，杨志坚，方浩，桑立雯，李丁，张国义

申请日期：2008.04.03

摘要：本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管，属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域。该器件包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个有源层为不同光波段的量子阱，且上述两个有源层之间共用一p型接触层或一n型接触层。 ...

[中文专利] 通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED

发明人：张国义，杨志坚，方浩，陶岳彬，桑立雯，李丁

申请日期：2008.05.13

摘要：本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO 2 薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层。不同形状和尺寸的生长窗口对二次外延器件内部应力的调节可以使同一种生长工 ...

[中文专利] 一种单芯片白光发光二极管及其制备方法

发明人：杨志坚，方浩，陶岳彬，桑立雯，李丁，张国义

申请日期：2008.04.08

摘要：本发明公开了一种单芯片白光LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370－420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光的非掺杂GaN层。所述光致荧光层是利用GaN材料中Ga空位和氧掺杂替氮位配对可 ...

[中文专利] 背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法

发明人：张国义，杨志坚，方浩，陶岳彬，桑立雯，李丁

申请日期：2008.04.15

摘要：本发明提供了一种背面出光的单芯片白光LED及其制备方法，在双面抛光的蓝宝石衬底上依次层叠非掺杂GaN层、蓝光有源层、黄绿光光致荧光层、n型欧姆接触层、紫外光有源层和p型欧姆接触层，其中：所述紫外光有源层是可发射紫外光波段的量子阱；所述黄绿光光致荧光层是在制备时引入缺陷而形成的非掺杂GaN层，可在紫外 ...

[中文专利] 电注入调控三基色单芯片白光发光二极管

发明人：张国义，杨志坚，方浩，陶岳彬，桑立雯，李丁，童玉珍

申请日期：2008.05.16

摘要：本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、蓝光有源层和第二p型欧姆接触层，在衬底的另一侧键合红光LED。该白光LED通过控 ...

[中文专利] 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法

发明人：张国义，杨志坚，方浩，李丁，桑立雯，陶岳彬，康香宁，孙永健，陆羽，赵璐冰

申请日期：2008.09.23

摘要：本发明公开了一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法，首先在GaN的异质外延衬底上生长一层掩膜，然后在掩膜上开出一系列生长窗口，再依次生长GaN成核层、GaN模板层和GaN厚膜，最后激光剥离异质外延衬底。该方法是一种两步应力释放法：第一步采用侧向外延技术，使样品只有部分区域与异质外延衬底相连接，可以 ...

[中文专利] 氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法

发明人：胡晓东，张国义，章蓓，杨志坚，康香宁，李睿，陈伟华，赵璐冰，李丁

申请日期：2008.03.11

摘要：本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现 ...

[中文会议论文] 三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究

作者：廖辉，陈伟华，李丁，李睿，杨志坚，张国义，胡晓东（人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院）

出处：第十六届全国半导体物理学术会议 2007

关键词：AlInGaN/GaN；量子阱；InGaN/GaN；量子阱；XRD；RBS；TEM

摘要：GaN 基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。我们的实验表明,采用 InGaN/GaN 三元和 AlInGaN/GaN 四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,就此本文研究了这两种不同量子阱结构的显微特征。通过高分辨 X 射线衍射对两种量子阱结构的(000 ...